• Capacidade total: 4GB
• Padrão DDR3
• ECC Registrada
• Velocidade de clock: 1866 MHz/PC3-10600
• Tensão padrão JEDEC: 1.5V (1.425V~1.575V)
• VDDQ = 1.5V (1.425V~1.575V)
• 933MHz fCK para 1866Mb/sec/pin
• 8 bancos internos independentes
• Latência CAS Programável: 13, 11, 10, 9, 8, 7, 6
• Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock
• 8-bit pre-fetch
• Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS]
• Data Strobe Diferencial bi-direcional
• Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)